Cén fáth a bhfuil-Trasraitheoirí Éifeachta Réimse (FETanna) mar Chomhpháirt Lárnach na Micreafóin?
Is gléasanna aimpliúcháin iontach iad Trasraitheoirí Éifeacht Réimse (FETanna) do mhicreafóin chomhdhlúthadáin mar gheall ar a n-impedance ionchuir ard (go hiondúil os cionn 1 GΩ), torann íseal (is féidir leis an bhfigiúr torainn a bheith faoi 1 dB), agus tréithe mearfhreagartha. I gcomparáid le trasraitheoirí acomhal dépholach (BJTanna), ní éilíonn FETanna aon sruth claonta agus is féidir leo comhartha scairt an toilleora a chomhcheangal go díreach, rud a laghdóidh an saobhadh. Mar shampla, sroicheann an clasaiceach 2SK170 FET cóimheas comhartha de 74 dB ag torann ionchuir coibhéiseach de -130 dBV (foinse: Lámhleabhar Leathsheoltóra Toshiba). Ina theannta sin, de bharr nádúr voltas-rialaithe FETanna ní bhíonn siad chomh íogair do thrasnaíocht leictreamaighnéadach, rud a fhágann go bhfuil siad oiriúnach do thimpeallachtaí casta ar nós céimeanna.
Teicneolaíochtaí tipiciúla agus Feidhmchláir Micreafóin FET
Ard{0}}Taifeadadh Dílseachta: Mar shampla, úsáideann micreafón Neumann U87 réamhaimplitheoir FET le raon freagartha minicíochta 20 Hz-20 kHz (±1 dB) agus raon dinimiciúil ar mó é ná 120 dB (páipéar bán teicniúil an mhonaróra).
Micreafóin Electret: I réitigh ísealchostais, déantar an FET a chomhtháthú le cúl an scairt electret, ag baint amach íogaireacht -35dB±3dB (féach caighdeán IEC 60268-4).
Dearadh Díolúine Cur isteach RF: Úsáideann micreafóin dinimiciúla ar nós an Shure SM58 céimeanna maoláin FET chun crosstalk RF a chosc, rud a fhágann go bhfuil siad oiriúnach do chásanna tarchurtha gan sreang.
Dúshláin agus Treochtaí Teicneolaíochta FET sa Todhchaí
Saincheisteanna Tomhaltais Cumhachta: ídíonn roinnt FETanna suas le 5mA faoi chumhacht phantom 48V; is gnách go n-úsáideann gléasanna iniompartha samhlacha JFET ísealchumhachta (amhail an LSK170).
Comhtháthú Chliste: Comhtháthaíonn micreafóin MEMS FETanna le sceallóga ASIC, ag feabhsú an chóimheas comhartha go-go dtí os cionn 70dB (tuarascáil Knowles Acoustics).
Feidhmchláir Ábhar Nua: Is féidir le FETanna nítríde Gailliam (GaN) saobhadh armónach a laghdú tuilleadh; léiríonn samhlacha turgnamhacha THD < 0.1% (iris IEEE *Electronic Devices*, 2023).
